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3月3日，光大证券发表策划论说称：NANDFlash合同价有望于2025年第二季度运转高涨，加价趋势有望握续至2025年底。TrendForce集邦磋议以为，NANDFlash阛阓供需结构将有望在2025年下半年权臣改善，包含原厂减产、智高手机库存去化、AI及DeepSeek效应等要素将推升NANDFlash需求，从而缓解供过于求的形式，预期下半年将迎来价钱回升。字据闪德资讯，跟着NANDFlash厂商积极减产以守护供需递次，NANDFlash下贱有望于2025年第二季度插足补库存周期，NANDFlash合同价也有望于2025年第二季度运转高涨，加价趋势至少可握续至2025年底，NANDFlash下半年有望转为供不应求。此外，自2024年第四季起，中国政府握续推出的以旧换新补贴战略灵验地刺激智高手机销量，加快NANDFlash库存去化速率。智高手机品牌厂有契机在2025年第二季扩大廉价库存，带动需求动能。
DRAM现货价或已接近底部。字据闪存阛阓，2025年第一季度受2024年末库存和谐影响，消费级DRAM价钱小幅下落（约3-5%），企业级居品因需求踏实保握巩固；2025年第二季度AI芯片缺货缓解带动HBM（高带宽内存）配套DRAM需求，价钱环比高涨5-8%；2025年第三季度传统消费电子旺季备货启动，重复手机厂商提前采购LPDDR6，价钱涨幅将扩大至10-12%；2025年第四季度供需趋于均衡，花呗套现价钱高位震撼，全年抽象涨幅瞻望达15-18%。字据闪德资讯，2025年2月24日至2025年2月28日当周，DRAM阛阓保握踏实，交往较前两周有所普及。D3、D4现货供应有余，价钱大幅高涨的可能性较低。D5上周现货颗粒价钱有所上调，但加工条价钱高涨空间有限，且阛阓对D5的阔绰仍未达到预期水平，短期价钱波动有限。
三星发布9100ProPCIe5.0SSD，好意思光1γDRAM内存运转出货。三星发布了9100PROPCIe5.0NVMeSSD。9100PROSSD采纳了PCIe5.0x4接口，外形为M.22280规格，提供了1TB、2TB、4TB和8TB四种容量可选。好意思光文书，已向生态系统配合股伴及部分客户提供基于1γ节点、第六代（10nm级）DRAM节点的DDR5内存样品。基于1γ节点的16GbDDR5居品DDR5内存速率可达9200MT/s，较上一代普及15%，可茂盛数据中心、端侧AI拔擢对高性能诡计的需求。
三星将使用长江存储专利本领。据韩国媒体ZDNetKorea2025年2月24日报说念称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了斥地堆叠400多层NANDFlash所需的“搀和键合”（HybridBonding）本领的专利许可公约，以便从其第10代（V10）NANDFlash居品（430层）运转使用该专利本领来进行制造。该报说念称，三星之是以采取向长江存储取得“搀和键合”专利授权，主要由于当今长江存储在“搀和键合”本领方面处于大家跳动地位。三星过程评估以为，从下一代V10NAND运转，其照旧无法再幸免长江存储专利的影响。